SK海力士子公司拟赴美投资建厂，加码NAND闪存生产布局

财联社9月18日电（编辑 刘蕊）根据三名接近此事的消息人士介绍，韩国存储器领军企业SK海力士的美国子公司Solidigm正在研究于美国境内新建一条NAND闪存生产线，其中纽约州北部被视作重点候选区域。

为何考虑在美布局NAND产能？

当前，SK海力士承受着来自特朗普当局不断加码的压力，对方要求该企业进一步增加在美国国内的制造能力。与此同时，AI数据中心的大规模资本开支正在快速吞噬全球存储芯片库存，华盛顿方面也因此加速推进半导体制造业回归美国的进程。

据相关人士披露，这一潜在的新建项目与SK海力士同英特尔之间正在商谈的另一轮扩产安排相互独立——后者的构想是利用英特尔位于俄亥俄州的晶圆厂来制造存储器件。

针对外界报道，SK海力士回应称："旗下Solidigm正对若干提升经营竞争力的路径进行综合研判，现阶段尚无最终确定的行动方案。"

从公开信息来看，Solidigm脱胎于英特尔旗下的NAND及固态硬盘事业部。2021年12月，SK海力士完成对英特尔NAND和SSD业务的并购，随后以SK海力士美国子公司的身份正式运营。

截至目前，Solidigm的生产制造环节仅依托中国大连基地，在美国本土只设有行政总部与研发机构。

一旦在美国落地建厂，Solidigm便可减少对大连NAND产线的单一依赖，同时有效对冲美国未来可能施加的额外关税风险，以及美方限制向中国出口芯片制造设备的政策约束。

然而，有知情者强调，Solidigm在美投资事宜目前并未签署任何具有约束力的协议，项目的关键条款仍处于讨论阶段。

美韩两国的政治博弈不容忽视

对SK海力士而言，在美国兴建NAND工厂并非单纯的商业决策，还需权衡复杂的政治变量。

显而易见的是，在美国设厂的运营成本明显高于在韩国本土，加之首尔与华盛顿之间围绕贸易和投资问题仍在反复拉锯，SK海力士大概率会保持审慎节奏。

一个方向上，美国商务部长霍华德·卢特尼克此前发出警告：如果韩国企业拒绝承诺扩充美国本土产能，美方不排除对其征收高达100%的惩罚性关税。

另一个方向上，首尔方面则持续向SK海力士及同业对手三星施压，催促两家尽快推进韩国西南地区半导体产业新城的建设蓝图，该项目预计可撬动数千亿美元级别的资金流入。

有分析指出，倘若SK海力士打算借助英特尔工厂来量产HBM等高端存储芯片甚至常规DRAM产品，韩国政府内部可能出现的异议声音将成为落地障碍。

综合来看，SK海力士为代表的韩国芯片制造商正处于美韩两大政府诉求的夹缝之中，进退维谷。

不过，一名消息人士补充道，由于NAND技术的战略敏感程度远低于HBM等前沿DRAM品类，SK海力士借由美国子公司在本土生产NAND所遭遇的政治掣肘相对有限。