传美光拟年底前将HBM月产能翻倍，HBM4占比进一步提升

财联社9月4日电（编辑 李莹）有消息称，美光拟于2026年末把HBM月度产量推升至10万片晶圆，相较去年水平实现近乎翻番的增长。这一扩张举措既有助于纾解当前全球HBM市场的供需失衡局面，也将助力美光进一步拉近与韩国两大竞争对手之间的产能鸿沟。

据外媒本周五援引知情人士透露，美光设定的目标是2026年底HBM月产能达到约10万片，而2025年的月均产出仅为4万至5万片左右；与此同时，公司将大幅提升适配英伟达Vera Rubin架构的12层HBM4芯片产量。

倘若上述规划顺利兑现，美光同韩国同行之间的体量落差将显著缩小，不过三星与SK海力士的整体制造规模仍将占据压倒性优势。

据悉，美光近期已向多家HBM生产设备厂商发出追加订单，相关新设备正陆续部署至其位于中国台湾地区及新加坡的工厂中。

**HBM4出货比重将成倍增长**

消息显示，现阶段美光HBM产品线以12层HBM3E为核心主力，而12层HBM4在总产出中的比例预计将由2026年一季度的20%至30%区间，逐步攀升至年末最高可达50%的水平。

美光此前于3月17日通过官方渠道发布声明称，专门针对英伟达Vera Rubin图形处理器开发的HBM4 36GB 12层版本已在2026年第一季度进入批量交付阶段，其单位能耗表现较前代HBM3E改善超过两成；此外，该公司还已完成向下游客户寄送48GB 16层HBM4工程样品的工作。

美光CEO Sanjay Mehrotra在今年6月的公开表态中提到，HBM4的产能释放速率大约是12层HBM3E的两倍，截至目前HBM4的累计销售收入已经跨过10亿美元大关。

分析人士认为，鉴于该批次HBM4产品在规格上深度锚定英伟达新一代人工智能加速计算平台，增量产能的最终消化程度将在相当大程度上受制于英伟达自身的出货进度安排。

**产能梯队差距有望减半**

就整体制造能力而言，美光在三家主要HBM供应商中依旧排在末位。

行业机构测算数据显示，三星电子和SK海力士目前的HBM月产能大致处于15万至20万片区段，而美光瞄准的2026年底节点为10万片。

如果美光能够按既定时间表完成扩产，那么它与两家韩企之间的产能落差有望缩减为此前幅度的一半左右。

从市场占有率维度观察，竞争态势则相对更为胶着。

市场调研公司Counterpoint Research的最新评估表明，2026年第二季度全球HBM市场中，SK海力士握有约50%的份额，三星电子约占32%，美光则占据18%。

美光此次大规模扩产行动也从侧面反映出HBM供给端的紧缺状况仍在延续。随着AI算力芯片制造商对高带宽堆叠式内存的需求持续走高，有效产能已成为决定各家供应商出货上限及盈利转化的关键瓶颈。