High NA EUV正式开启规模化量产，首批10套系统已投产运行

据9月1日报道，在2026年SEMICON Taiwan先进制程科技论坛期间，光刻设备领域领军企业ASML的高级副总裁兼High NA EUV产品线负责人Greet Storms发表讲话，透露其高数值孔径极紫外光刻平台正快速向大规模量产（HVM）过渡。面对全球范围内持续增长的先进光刻需求，ASML借助一系列技术改良已将设备产出效率推升至满足量产要求的水平，同时也为接下来十来年半导体工艺微缩规划了一条兼具经济性与可行性的路径。

**十台系统上线运转，累计曝光超135万片晶圆**

Greet Storms在会上公布了High NA EUV技术走向商用化的首批核心指标。数据显示，全球范围内搭载于EXE系列平台的High NA EUV设备所完成的晶圆曝光总量已跨越135万片大关，系统的学习曲线收敛速度与HVM就绪程度均在加快。

她特别指出，该技术已实现一项标志性进展——ASML与英特尔双方此前共同确认，基于EXE High NA EUV工艺的Intel 18A制程已成功进入量产，首款搭载该工艺的第三代英特尔Core Ultra处理器"Panther Lake"正式下线。

就部署进度而言，全球四家客户已累计安装并启用10台High NA EUV设备，另外3台正处于交付或现场部署流程中。值得注意的是，已通过认证的EXE:5200B机型在验收测试环节实现了每小时处理135片晶圆（WPH）的处理速率，表明其具备支撑大批量生产的吞吐能力。

**设备在线率升至84%，年末剑指90%**

在可靠性层面，High NA EUV设备同样交出了亮眼答卷。Greet Storms介绍，当前全球该类型设备的在线可用率（即可用于实际加工的时间占比）已攀升至84%，公司预计在2026年内将这一数字推至90%，后续还将向93%的中期目标迈进。

她解释，ASML将既有NXE平台积累的运行经验移植过来，强化了故障诊断手段并着力消除重复性缺陷，从而显著增强了系统运行的平稳性。此外，各台设备之间展现出出色的套刻对准（Overlay）精度与焦面一致性，为迈向埃米级节点的大规模制造筑牢了精度根基。

**单曝替代多曝，二维版图设计打开新格局**

Greet Storms着重阐述了High NA EUV最具分量的商业意义——用一次曝光操作替代传统多次曝光流程。与0.33 NA EUV不得不依赖多重曝光等高复杂度、高成本工艺不同，0.55 NA High-NA EUV凭借更高分辨率，使得更多图层次得以采用单次曝光完成，由此直接削减所需掩膜版数量及潜在缺陷概率，同时压缩晶圆加工周期和综合制造费用。

更为关键的是，High NA EUV为二维芯片布局开辟了前所未有的设计自由度。依托其卓越的空间分辨率与图像对比度，设计师能够以单层单次曝光方式直接生成二维金属互连图形，无需再像以往那样堆叠两层一维金属加一层接触孔的结构。这一变革有望精简金属层总厚度、压低电阻与寄生电容带来的信号损耗，同时提高逻辑单元的集成密度，赋予芯片架构师更大的布局自由度和性能挖掘潜力，并在缩小线宽的同时兼顾良率、节拍与经济性。

在存储器工艺延伸方面，High NA EUV的成像余量足以支撑DRAM从当前1C、1D节点继续向前推进，最远可覆盖0A、0B、0C、0D共五个后续二维DRAM世代。在先进逻辑端，该技术路线可从2nm一路延展至0.7nm乃至0.5nm。

**对焦与拼接难题已有成熟对策**

围绕High NA半视场（Half Field）架构带来的限制以及对焦管控难点，ASML已给出一整套经过验证的工程化解法。借助芯片表面平坦化算法、实时对焦校正机制以及148毫米专用晶圆卡盘设计，系统预计可将焦深容差维持在30纳米以上，保持与NXE平台相当的对焦控制水准。

在半视场拼接需求上，ASML设置了175微米宽的拼接补偿区（Stitching Compensation Zone），为设计留出充足裕度，从容应对DRAM（仅部分奇数排布die需要拼接）与逻辑器件各自不同的版图约束。

**十年稳健路线图：冲刺180 WPH**

面向中长期发展，ASML已绘制出跨度逾十年的0.55 NA EUV稳定演进路线。Greet Storms透露，公司将沿EXE:5200B向下一代EXE:5400E持续迭代，具体举措包括将EUV光源输出从600瓦阶梯式拉升至1000瓦、加快晶圆与掩模台的传送节奏，以及引入PEP（部分曝光并行）策略，力争在本十年收官之际把验收阶段的处理能力提升到每小时180片晶圆。

ASML最后总结道，High NA EUV平台将以更高的成像分辨率、单次曝光能力、不断攀升的产率以及充裕的设计灵活性，充当全球前沿半导体工艺长期微缩的最坚实底座，标志着从2nm向埃米时代跨越的半导体制造新篇章已然拉开。