三星发布HBM5路线图：性能预计翻倍，zHBM目标正式揭晓

三星于9月1日正式披露了其面向AI领域的存储产品演进规划。根据该路线图，下一代HBM5在整体性能上预计将达到当前HBM4E的两倍左右，与此同时，每瓦特算力提升幅度约为两成，芯片热阻则下降约两成。此外，三星正同步研发名为zHBM的新型架构方案，其核心思路是将高带宽内存直接封装在AI加速芯片的正上方。按照规划，该技术成熟后，数据接口的峰值吞吐量最高可做到HBM5的八倍，能耗效率提升至三倍水平，而散热方面的热阻指标也将削减超过50%。