三星公布下一代存储器战略，HBM5性能目标大幅上调

据《科创板日报》1日报道，三星电子正式披露其未来存储芯片路线图。在高性能计算领域，该公司设定了激进的性能指标：即将推出的HBM5带宽将达到现行HBM4E的两倍，而更远期规划中的zHBM则瞄准HBM4E八倍的吞吐量水平。为实现上述跨越，三星明确将三维堆叠架构的革新作为技术主线，力图在下一轮内存竞争中占据制高点。与此同时，面对大语言模型对海量存储空间的迫切需求，三星正同步研发名为zNAND-O的新型存储方案。该方案的设计目标是实现十倍于DRAM的单位面积数据密度，同时将读取速率与能耗表现分别做到传统NAND闪存的五七倍——即读取带宽和能效各达NAND的七倍。按照既定节奏，三星预计将在2028年向客户交付zNAND-O工程样品。（消息来源：ETNews）